第二屆先進半導體器件與集成技術國際學術會議（ASDIT 2026）將于2026年8月28-30日在中國江蘇無錫舉辦。本次會議旨在匯聚全球半導體領域的頂尖學者、行業(yè)專家和企業(yè)領袖，共同探討最新的研究成果和技術進展。會議將涵蓋先進半導體器件的設計、制造、材料及其在各類應用中的創(chuàng)新，包括人工智能、量子計算和5G通信等前沿科技。與會者將有機會參加主題演講、專題討論和技術展示，深入了解行業(yè)動態(tài)，分享前沿經驗。
我們誠邀全球的專家學者參與此次盛會，共同推動半導體技術的進步與發(fā)展。期待與您相聚無錫，共同探索未來科技的無限可能！
第二屆先進半導體器件與集成技術國際學術會議（ASDIT 2026）
2026 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology
2026年8月28日-30日，中國-江蘇-無錫
會議官網：www.asdit.org【參會投稿】
截稿時間：見官網
論文檢索：EI, Scopus
【會議回顧】ASDIT 2025會議論文集已提交IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)并完成見刊出版
【組織單位】
主辦單位：江南大學
承辦單位：江南大學集成電路學院、江南大學理學院、無錫市第三代半導體器件與集成技術重點實驗室、江南大學-康訊半導體聯(lián)合實驗室
【大會嘉賓】
大會主席
楊國峰教授，江南大學，理學院院長，IEEE Member
顧曉峰教授，江南大學，集成電路學院院長
敖金平教授，江南大學，IEEE Senior Member
技術程序委員會主席
余建軍教授，復旦大學，IEEE Fellow
李楊副教授，江南大學
Mário Fernando Santos Ferreira教授，阿威羅大學
Mohd Aliff Afira Bin Hj. Sani副教授，吉隆坡大學
出版主席
姜巖峰教授，江南大學，IEEE 高級會員
劉璋成副教授，江南大學
當地委員會主席
王霄副教授，江南大學，IEEE Member
【征稿主題】
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半導體器件 |
集成技術 |
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新型半導體材料及其在器件中的應用 高性能MOSFET設計與優(yōu)化 能耗效率優(yōu)化的功率器件技術 超越硅的III-V族化合物半導體器件 微光電半導體傳感器及其應用 半導體激光器及其新興應用領域 石墨烯和其他二維材料器件 量子點和量子阱半導體器件 新型存儲器器件：RRAM, MRAM, FeRAM 低溫電子器件的挑戰(zhàn)與機遇 高頻和高功率器件的突破性技術 硅基光電子器件及其集成技術 隧穿場效應晶體管(TFET)器件研究 半導體器件的可靠性與老化機制 先進封裝和互連結構對器件性能的影響...... |
三維集成電路及其制造工藝 片上系統(tǒng)(SoC)與集成方法 芯片異構集成技術 封裝級集成技術的發(fā)展與創(chuàng)新 集成電路中的熱管理技術 射頻集成電路及其設計優(yōu)化 人工智能與機器學習在集成電路設計中的應用 先進模擬與混合信號集成電路 電源管理集成電路技術 集成電路設計中的可靠性與安全挑戰(zhàn) 硅光子學互連技術 超大規(guī)模集成技術的最新進展 新興存儲器集成技術 模塊化MEMS與NEMS的集成應用 智能傳感系統(tǒng)的集成與創(chuàng)新...... |
【論文出版】
文章先經2-3位專家盲審，錄用的文章將會被遞交給IEEE(ISBN: 979-8-3195-2163-7)出版，見刊后由出版社整理提交至 EI, Scopus 檢索。
投稿須知
論文模板請于艾思系統(tǒng)【會議資料】處下載。
論文必須是英文稿件，且論文應具有學術或實用價值，未在國內外學術期刊或會議發(fā)表過。發(fā)表論文的作者需提交全文進行同行評審，只做報告不發(fā)表論文的作者只需提交摘要。如需中→英翻譯：【艾思編譯】
作者可通過【iThenticate查重】、【Morressier AI檢測】自費查重，否則由文章重復率引起的被拒搞將由作者自行承擔責任。涉嫌抄襲的論文將不被出版，且公布在會議主頁。
【參會方式】
所有參會人員均可申請報告或海報展示，可開具證明
1、作者參會：一篇錄用文章允許一名作者免費參會；
2、口頭演講：申請口頭報告，時間為15分鐘，摘要投稿可申請；
3、海報展示：申請海報展示，A1尺寸，彩色打??；
4、聽眾參會：不投稿僅參會，也可申請演講及展示。
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